650V/700V Multi-EPI SJ MOS

"基于革命性超结 (SJ) 原理设计，使用先进的多次外延（Multi-EPI）工艺技术制造，拥有更优的EMI特性，更容易通过安规认证；超低导通电阻和结电容，有效降低导通损耗和开关损耗，效率高，发热小，可以适应更高的开关频率；DFN超薄外形封装，可应用于小体积PD快速充电器。 "

反激是指反激高频变压器隔离输入输出回路的开关电源，mos导通时，输出变压器充当电感，电能转化为磁能，此时输出回路无电流，相反，当mos关断时，输出变压器释放能量，磁能转化为电能，输出回路有电流。反激电路元器件少，电路简单成本低体积小可同时输出多路互相隔离的电路。

DT MOS/Trench MOS

DT MOSFET是采用了具有降低表面电场(Reduced Surface) 原理的屏蔽栅（或称为分立栅）MOSFET技术(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，从而降低器件的比导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。

Trench MOS优化了芯片的元胞设计和版图布局，可以提高器件各个方向的电流均匀性，有效防止在极限工作下部分区域的提前失效，增强了产品功率密度和可靠性

同步整流Rectification MOSFET在开关电源中用于提高电源的效率，它替代输出整流二极管，利用其导通内阻低的特点弥补二极管导通损耗高的缺陷。